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AO4496
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
50
40
10V
4.5V
4V
50
40
V DS = 5V
30
20
3.5V
30
20
10
V GS = 3V
10
125 ° C
25 ° C
0
0
0
1
2
3
4
5
1
2
3
4
5
26
V DS (Volts)
Figure 1: On-Region Characteristics
1.8
V GS (Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics
24
V GS = 4.5V
1.6
V GS = 10V
I D = 10A
22
20
1.4
1.2
V GS = 4.5V
I D = 7.5A
18
16
V GS = 10V
1.0
I F =-6.5A, dI/dt=100A/ μ s
14
0
5
10
15
20 25 30
0.8
0
25
50
75
100
125
150
175
50
I D (A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature
45
40
35
I D = 10A
1E+01
1E+00
1E-01
30
25
20
15
125 ° C
25 ° C
1E-02
1E-03
1E-04
125 ° C
25 ° C
1E-05
10
2
4
6
8
10
1E-06
V GS (Volts)
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
V SD (Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics
www.aosmd.com
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